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晶圆曝光刻蚀切割检测系列

晶圆紫外曝光

半导体晶圆紫外曝光机 采用采用双目双视场显微镜对准;球碗调平,单片机控制,触摸开关,操作方便、实用性强。整机具有性能可靠、操作方便等特点。 一.技术特征 1、采用国内独创的

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产品详情


半导体晶圆紫外曝光机
采用采用双目双视场显微镜对准;球碗调平,单片机控制,触摸开关,操作方便、实用性强。整机具有性能可靠、操作方便等特点。
一.技术特征
1、采用国内独创的多点梯形反射镜聚光和实现均匀照明,具有高的能量收集率和高均匀性照明性;
2、采用进口直流高压汞灯,光功率稳定;
3、采用i线(365nm)紫外曝光光源,波长单一,光谱纯净;
4、高倍率双目双视场CCD显微镜和22英寸宽屏液晶,可同时观察对准过程,适用大视场高倍率对准;
5、采用薄膜开关操作,数字设定曝光时间,倒计时数显,曝光量可精确控制;
6、配置无油真空泵,无污染,噪音小;
7、关键器件采用进口国际品牌产品,整机可靠性高。
曝光机性能技术介绍
1、曝光面积:110mm×110mm
2、曝光波长:365nm(纯净光源)
3、分辨力: 1.5μm
4、对准精度 ± 1μm
5、掩模样片整体运动范围:X:6mm;Y:6mm
6、掩模尺寸:2.5寸、3寸、4寸、5寸
7、直径Ф15mm--Ф100mm、厚度0.1mm--6mm(可扩展为15mm);
8、照明均匀性:±5%

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